WEKO3
アイテム
Online junction temperature measurement of Power MOSFET by dynamic VGS-ID monitoring system
http://hdl.handle.net/10228/00009144
http://hdl.handle.net/10228/000091449bf91240-1118-4f57-bcd4-f4c821ecdbf5
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc217.pdf (1.7 MB)
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| Item type | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2023-03-28 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Online junction temperature measurement of Power MOSFET by dynamic VGS-ID monitoring system | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| 著者 |
Bayarsaikhan, Yandagkhuu
× Bayarsaikhan, Yandagkhuu× 大村, 一郎
WEKO
16176
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | As the demand for high reliability in power electronics systems increases, the online condition monitoring of power devices is becoming crucial. The junction temperature is a vital indicator of the reliability and health of the power semiconductor devices. Therefore, we developed a novel junction temperature measurement method via dynamic threshold voltage. The proposed method uses a specially designed PCB sensor for detecting a drain current and captures the dynamic gate-source voltage at predetermined drain current levels. The analog circuit was designed and experimentally verified by a double pulse test. A 16-bit ADC embedded in the microcontroller is utilized to digitize the captured voltage to demonstrate the monitoring system. The temperature sensitivity of the Power MOSFET was -2.2 mV/°C and was unaffected by the high side device temperature. | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 備考 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | 電子通信エネルギー技術研究会（EE）, 2023年1月19日 - 20日, 九州工業大学 | |||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会技術研究報告. EE, 電子通信エネルギー技術 巻 122, 号 343, p. 111-116, 発行日 2023-01-12 |
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| 出版社 | ||||||||||||||
| 出版者 | 電子情報通信学会 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| URI | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://cir.nii.ac.jp/crid/1050014183344239360 | |||||||||||||
| CRID | ||||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://ken.ieice.org/ken/paper/20230120cCQx/ | |||||||||||||
| 日本十進分類法 | ||||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||||
| 主題 | 549 | |||||||||||||
| NCID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AA11135980 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 2432-6380 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 0913-5685 | |||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright(C)2023 IEICE | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | MOSFET | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Temperature measurement | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Temperature monitoring | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | TSEP | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Threshold voltage | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Rogowski coil | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | PCB current sensor | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||
| 値 | no | |||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||
| 値 | 11110 | |||||||||||||
