WEKO3
アイテム
Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena
http://hdl.handle.net/10228/00007908
http://hdl.handle.net/10228/000079082d735a2c-8553-4c21-b826-c68e66ffc824
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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nperc110.pdf (597.8 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 = Journal Article(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2020-09-30 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| 著者 |
Tsukuda, M.
× Tsukuda, M.× 安部, 征哉× Hasegawa, K.× Ninomiya, T.× 大村, 一郎
WEKO
16176
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | In this paper, we propose the criteria of bias voltage from parasitic capacitance and demonstrate the criteria in an experiment with the present IGBT. The bias voltage criteria are theoretically predicted for the new generation IGBT based on the scaling principle. For safe switching, the required gate voltage bias is predicted to be −1.2V or less for the present IGBTs and −6V or less is required to completely cancel the gate noise voltage. From the IGBT design, the bias voltage of scaling IGBT requires −2V to completely cancel the gate noise voltage. | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Microelectronics Reliability 巻 88-90, p. 482-485, 発行日 2018-09-30 |
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| 出版社 | ||||||||||||||
| 出版者 | Elsevier | |||||||||||||
| DOI | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.06.026 | |||||||||||||
| 日本十進分類法 | ||||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||||
| 主題 | 549 | |||||||||||||
| NCID | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AA11538014 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 0026-2714 | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 1872-941X | |||||||||||||
| 著作権関連情報 | ||||||||||||||
| 権利情報 | Copyright (c) 2018 Elsevier Ltd. | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Bias voltage | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Gate | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Shielding effect | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | IGBT | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Shoot-through | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||
| 査読の有無 | ||||||||||||||
| 値 | yes | |||||||||||||
| 連携ID | ||||||||||||||
| 値 | 7485 | |||||||||||||
