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  1. 学術雑誌論文
  2. 5 技術(工学)

Calculation of single event burnout failure rate for high voltage devices under satellite orbit without fitting parameters

http://hdl.handle.net/10228/00008474
http://hdl.handle.net/10228/00008474
9c8922a7-18f4-43c3-8d52-9ac88094b004
名前 / ファイル ライセンス アクション
nperc132.pdf nperc132.pdf (2.0 MB)
アイテムタイプ 学術雑誌論文 = Journal Article(1)
公開日 2021-09-24
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
タイトル
タイトル Calculation of single event burnout failure rate for high voltage devices under satellite orbit without fitting parameters
言語 en
言語
言語 eng
著者 Sudo, M.

× Sudo, M.

WEKO 31383

en Sudo, M.

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Nagamatsu, T.

× Nagamatsu, T.

WEKO 31384

en Nagamatsu, T.

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Tsukuda, M.

× Tsukuda, M.

WEKO 31385

en Tsukuda, M.

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大村, 一郎

× 大村, 一郎

WEKO 16176
e-Rad_Researcher 10510670
Scopus著者ID 7003814580
九工大研究者情報 69

en Omura, Ichiro

ja 大村, 一郎

ja-Kana オオムラ, イチロウ


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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Increase of power bus voltages in spacecraft are expected with the power demand growth. Accordingly, high voltage semiconductor devices in the power supply system will be required to withstand high energy and high flux cosmic ray environment. In this paper, we propose a new formula to calculate failure rate for power semiconductor devices in space application.
言語 en
書誌情報 en : Microelectronics Reliability

巻 100-101, p. 113396-1-113396-8, 発行日 2019-09-23
出版社
出版者 Elsevier
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1016/j.microrel.2019.07.001
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 538
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0026-2714
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 1872-941X
著作権関連情報
権利情報 Copyright (c) 2019 Elsevier Ltd. All rights reserved.
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
査読の有無
値 yes
連携ID
値 8015
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Ver.1 2023-05-15 13:15:37.710553
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